[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[25p-E307-13] 高濃度オゾンガスによる直接接合技術の開発

〇三浦 敏徳¹、花倉 満¹、村井 一彦¹ (1.明電ナノプロセス・イノベーション㈱)

キーワード：半導体、直接接合

IoT化に伴う近年の電子デバイスを介した情報量の増大は半導体デバイスのさらなる高度化を要求している。現在先端半導体の技術的な焦点として微細化・集積化が挙げられるが，分子サイズに近づきつつある従来の2次元的微細化による高集積化が踊り場にある今日，技術フロンティアは集積回路の3次元化(3D-IC化)にあると思われる。微細化の傍ら数十年にわたって発展を続けてきた実装技術による積層化は，各種機能を有するセンサーや半導体チップの直接接合の試みにまで進展している。本講演では直接接合に関わる接合前表面処理技術の新たな試みとして約100%の高濃度オゾンガスを用いた接合前表面改質および接合技術について報告する。