[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [25p-E307-5] ヨウ化銅(Ⅰ)を原料とする選択LPCVD法によるCuの成長機構

〇豊田 絃人¹、菊池 ひかり¹、山内 智¹、布瀬 暁志²、久保田 雄介² (1.茨城大工、2.東京エレクトロン　テクノロジーソリューションズ(株))

キーワード：選択CVD、銅配線

これまでに我々は、ヨウ化銅（I）（CuI）を真空中で300^oC程度に加熱し、面内安定化構造をとる三量体で昇華させて基板表面に供給することで300^oC程度の低温で金属上へのみCuが選択成長し、成長温度とCuI供給速度を制御することでCu膜を形成できることを示してきた。今回は、Cu粒径の制御を目的としてRu(001)上へのCu成長形態の成長温度と成長時間の依存性から本方法に依るCuの成長機構を検討したので報告する。