[25p-F307-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [25p-F307-3] La_n+1Ni_nO_3n+1 epitaxial thin films synthesis by PLD method and effect of aliovalent doping effect

〇Yuki Goto¹, Shohei Hisatomi¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^2,1, Mamoru Yoshimoto¹, Akifumi Matsuda¹ (1.TokyoTech, 2.KISTEC)

Keywords:Epitaxial thin film, Lanthanum nickelate, Ruddlesden Popper

Ruddlesden-Popper (RP)構造をとるニッケル酸ランタン(La_n+1Ni_nO_3n+1)は、連続したn個のペロブスカイト型LaNiO₃層と岩塩型LaO層 が交互に積み重なる構造をもつ層状複酸化物であり、そのイオン・電子伝導性から燃料電池やガスセンサなどへの応用が研究されている。また、Cu系層状酸化物と類似した構造から超伝導の発現も期待される。
本研究では、薄膜合成の報告が少ないRP型ニッケル酸ランタン薄膜の電子機能制御を目的として、La_n+1Ni_nO_3n+1エピタキシャル薄膜のPLD合成および異原子価ドーピングによる構造と特性変化を検討した。