[25p-P01-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[25p-P01-18] Al_xGa_1-xN系薄膜の放射光軟X線顕微光電子分光法による非破壊電子状態分析

〇(M1C)竹澤 伸吾¹、小濱 路生²、張 文雄³、吹留 博一²、渡邊 一世⁴、井村 将隆⁵、津田 俊輔⁵、小嗣 真人¹、永村 直佳^1,5,6 (1.東京理科大、2.東北大、3.東大、4.情通機構、5.物材機構、6.JSTさきがけ)

キーワード：ワイドギャップ半導体、光電子分光

III-V族半導体は発光デバイスや高周波デバイスの材料として注目を集めている。デバイス応用の上では電子状態の理解が不可欠だが、チャージングの問題などからIII-V族半導体の光電子分光による非破壊の測定例は僅少である。我々は集光した放射光を用いることでAlGaN系試料のチャージングの影響が少ない光電子分光スペクトルを取得することに成功した。当日は深さ方向解析の測定例を交えて発表する。