[25p-P05-1~2] 13.3 Insulator technology

[25p-P05-1] Determination of the charge centroids of electrons and holes trapped in the charge trap layer of MONOS-type nonvolatile memory elements (II)

〇Akari Matsumoto¹, Kiyoteru Kobayashi¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:silicon nitride, nonvolatile memory, Integrated circuit

MONOS型メモリのシリコン窒化膜の電荷トラップに捕獲された電子と正孔の密度や空間分布は、メモリウィンドウやデータ保持時間に影響を及ぼす。今回、窒化膜のトラップの一部に電子が捕獲された状態のMONOS型素子に負ゲートバイアスを印加した際に起こる現象－正孔捕獲および捕獲されていた電子の消失－について調べた。