[25p-P05-1~2] 13.3 絶縁膜技術

[25p-P05-1] MONOS型不揮発性メモリ素子の電荷捕獲膜に注入された電子と正孔のチャージセントロイドの決定（Ⅱ）

〇松本 明莉¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜、不揮発性メモリ、集積回路

MONOS型メモリのシリコン窒化膜の電荷トラップに捕獲された電子と正孔の密度や空間分布は、メモリウィンドウやデータ保持時間に影響を及ぼす。今回、窒化膜のトラップの一部に電子が捕獲された状態のMONOS型素子に負ゲートバイアスを印加した際に起こる現象－正孔捕獲および捕獲されていた電子の消失－について調べた。