[25p-P06-1~5] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[25p-P06-1] Three-dimensional visualization of the curvature of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers using X-ray diffraction

〇Yongzhao Yao¹, Keiichi Hirano², Koji Sato¹, Yoshihiro Sugawara¹, Daisaku Yokoe¹, Narihito Okada³, Kazuyuki Tadatomo³, Kohei Sasaki⁴, Akito Kuramata⁴, Yukari Ishikawa¹ (1.JFCC, 2.KEK, 3.Yamaguchi Univ., 4.NCT)

Keywords:wide bandgap semiconductor, curvature of crystal planes, X-ray diffraction

単結晶基板に内在する結晶面の湾曲は、その上に作製するエピ膜のキャリア濃度や膜厚の面内分布の不均一の原因となるため、湾曲を正しく評価することはバルク成長とエピ成長の両方において重要である。本稿では、パワー半導体材料4H-SiC、GaN、AlN、およびβ-Ga₂O₃市販基板の結晶面湾曲を放射光X線トポグラフィー（XRT）または実験室系XRDを用いて3D可視化する手法について報告する。