[25p-P06-1~5] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[25p-P06-3] Structural Analyses by TEM for a-In₂O₃ Grown by Mist CVD on a-Al₂O₃ Substrate

〇(M2)Yuka Hayakawa¹, Soichiro Ohno¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Toyohiko Konno² (1.Kogakuin Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:In2O3, Transmission Electron Microscope, Mist Chemical Vapor Deposition

a-In₂O₃はバンドギャップが約3.7 eVのⅢ族酸化物半導体であり, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタへの応用が期待されている. Mist CVD法による単結晶a-In₂O₃成長は, これまでバッファ層を挿入することで実現されてきた. これに対し我々は(0001)a-Al₂O₃基板上への直接成長に成功した. 本研究では, Mist CVD法により(0001)a-Al₂O₃基板上に直接成長したa-In₂O₃を透過電子顕微鏡(TEM)および走査透過電子顕微鏡(STEM)により[11-20]方向から断面観察を行い、結晶構造解析を行った.