[25p-P06-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[25p-P06-3] TEMによるMist CVD法α-Al₂O₃基板上α-In₂O₃の結晶構造解析

〇(M2)早川 優香¹、大野 颯一朗¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、今野 豊彦² (1.工学院大、2.東北大)

キーワード：酸化インジウム、透過電子顕微鏡、Mist CVD法

a-In₂O₃はバンドギャップが約3.7 eVのⅢ族酸化物半導体であり, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタへの応用が期待されている. Mist CVD法による単結晶a-In₂O₃成長は, これまでバッファ層を挿入することで実現されてきた. これに対し我々は(0001)a-Al₂O₃基板上への直接成長に成功した. 本研究では, Mist CVD法により(0001)a-Al₂O₃基板上に直接成長したa-In₂O₃を透過電子顕微鏡(TEM)および走査透過電子顕微鏡(STEM)により[11-20]方向から断面観察を行い、結晶構造解析を行った.