[25p-P09-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[25p-P09-3] Strain dependence of GaInAsP / GaInAsP MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrateⅡ

〇(M1)Kouji Agata¹, Kota Shibukawa¹, Liang Zhao¹, Motonari Sato¹, Shingo Ito¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, Optical Interconnection, Optical Communication

IoTやクラウドコンピューティングの発展によって情報通信量が著しく増加し続けている。そのため、従来の電気配線を大容量・低消費電力な光配線へと切り替える光インターコネクションが着目されている。本研究室ではSi基板上にInP薄膜とSi基板を直接貼り付けしたInP/Si基板上においてInP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案し、光インターコネクション実現に向け、Si基板上半導体レーザについての研究を行っている。今回はwell層に0%～1.07%の圧縮歪を加えたSCH-MQW レーザの歪依存性についての研究の報告を行う。