[25p-P09-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[25p-P09-4] 直接貼付InP/Si基板の加熱処理シーケンスの依存性について

〇趙 亮¹、佐藤 元就¹、澁川 航大¹、伊藤 慎吾¹、阿形 幸二¹、下村 和彦¹ (1.上智大学 理工学部)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく、Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた。今回、InP/Si基板作製における加熱処理の方法を変化させ、基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡で観察し、評価を行ったので報告する。