[25p-P09-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[25p-P09-7] Regional Control of InAs/GaAs Quantum Dot Composition Intermixing with Three-Regions and PL Spectrum Measurement

〇Taisei Ito¹, Kairi Atsugi¹, Jinkwan Kwoen², Pengjun Yu¹, Dingyue Qu¹, Yuichi Matsushima¹, Hiroshi Ishikawa¹, Yasuhiko Arakawa², Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda Univ., 2.NanoQuine, Univ. of Tokyo)

Keywords:Quantum Dot, Intermixing, Ion Implantation

データセンタでの高速、大容量通信を行うための光源として、Si基板上1300nm帯InAs/GaAs量子ドット(QD)レーザが低閾値電流、低消費電力、温度安定性に優れている点から有望とされている。我々は変調器や導波路のモノリシック集積化のために、バンドギャップの制御を行う組成混晶化技術(Quantum Dot Intermixing : QDI)を検討してきた。今回は、同一基板上に異なる組成を持つよう領域分けされたQDサンプルを作製し、そのPL特性について報告する。