[25p-P09-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[25p-P09-7] 3領域InAs/GaAs組成混晶化構造の制御とPLスペクトル測定

〇伊藤 大誠¹、厚木 開里¹、權 晋寛²、余 鵬軍¹、屈 鼎钺¹、松島 裕一¹、石川 浩¹、荒川 泰彦²、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、組成混晶化、イオン注入

データセンタでの高速、大容量通信を行うための光源として、Si基板上1300nm帯InAs/GaAs量子ドット(QD)レーザが低閾値電流、低消費電力、温度安定性に優れている点から有望とされている。我々は変調器や導波路のモノリシック集積化のために、バンドギャップの制御を行う組成混晶化技術(Quantum Dot Intermixing : QDI)を検討してきた。今回は、同一基板上に異なる組成を持つよう領域分けされたQDサンプルを作製し、そのPL特性について報告する。