[25p-P10-1~7] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[25p-P10-2] GaAs NWs growth by self-catalytic Vapor Liquid Solid method on GaAs substrate

〇Chen Chen¹, Kei Kuwahara¹, Yuta Katori¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:GaAs Nanowire, Self-seeded Vapor Liquid Solid Method, MOVPE

Ⅲ-Ⅴ族半導体は高い光電変換効率を有し、太陽光エネルギーの有効利用に不可欠な材料である。特にGaAsは最も高い効率を持ち、耐熱、耐放射線の性質から様々な環境で活用できる。それを踏まえて、ナノワイヤ(NW)構造の大きい表面積対体積比により、光吸収率を向上させ、より高い効率を得ることが期待される。本研究はMOVPEで自己触媒VLS法によるGaAsナノワイヤの径、密度、分散等の成長条件依存性について報告する。