[25p-P10-1~7] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[25p-P10-2] GaAs基板上自己触媒VLS法によるGaAsナノワイヤの成長

〇陳 しん¹、桑原 圭¹、香取 祐太¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：GaAsナノワイヤ、自己触媒VLS法、MOVPE

Ⅲ-Ⅴ族半導体は高い光電変換効率を有し、太陽光エネルギーの有効利用に不可欠な材料である。特にGaAsは最も高い効率を持ち、耐熱、耐放射線の性質から様々な環境で活用できる。それを踏まえて、ナノワイヤ(NW)構造の大きい表面積対体積比により、光吸収率を向上させ、より高い効率を得ることが期待される。本研究はMOVPEで自己触媒VLS法によるGaAsナノワイヤの径、密度、分散等の成長条件依存性について報告する。