[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-10] Effect of developer etching on AlGaN, GaN photolithography process and evaluation of new developer

〇Toshikazu Yamada¹, Tokio Takahashi¹, Masakazu Ito², Koji Sahara² (1.AIST, 2.Parker Co., Ltd.)

Keywords:GaN, Al, TMAH

TMAHは、フォトリソグラフィープロセスで、通常よく用いられている現像液である。高温、高濃度溶液の状態で、GaN、AlGaN材料の異方性エッチングに用いる事ができると報告されている。フォトリソに用いられる濃度は通常2.38%程度と低濃度であるが、実際には、2.38%程度の低濃度TMAHに１分程度さらしただけでも、GaN表面がエッチングされ、数ミクロン程度以下のレジストパターンが、現像時に流れてしまう事が分かった。パーカーコーポレーションによりこの度開発された銅配線、Al配線上のレジストパターン形成において、金属エッチング量を極力抑制した仕様の新しい現像液を試験的に用いたところ、サブミクロンサイズのレジストパターンまで、サンプル表面に残ったままの状態で現像できる事が分かった