[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-10] AlGaN、GaNのフォトリソ工程における現像液エッチングの影響と新現像液の評価

〇山田 寿一¹、高橋 言諸¹、伊藤 正和²、佐原 幸治² (1.産業技術総合研究所、2.パーカーコーポレーション)

キーワード：GaN、Al、TMAH

TMAHは、フォトリソグラフィープロセスで、通常よく用いられている現像液である。高温、高濃度溶液の状態で、GaN、AlGaN材料の異方性エッチングに用いる事ができると報告されている。フォトリソに用いられる濃度は通常2.38%程度と低濃度であるが、実際には、2.38%程度の低濃度TMAHに１分程度さらしただけでも、GaN表面がエッチングされ、数ミクロン程度以下のレジストパターンが、現像時に流れてしまう事が分かった。パーカーコーポレーションによりこの度開発された銅配線、Al配線上のレジストパターン形成において、金属エッチング量を極力抑制した仕様の新しい現像液を試験的に用いたところ、サブミクロンサイズのレジストパターンまで、サンプル表面に残ったままの状態で現像できる事が分かった