[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-11] Mg recoil implantation into GaN with incident Nitrogen ion (6)

〇Toshikazu Yamada¹, Hisashi Yamada¹, Tokio Takahashi¹ (1.AIST)

Keywords:GaN, recoil implantation, Mg

通常のイオン注 入プロセスより注入ダメージを低減したプロセスとしてダメージ吸収と Mg 供給の２つの役割を持つ層とし て Mg を、GaN 層上に積層した上で、そこに窒素原子を集中的に注入し、はじき出された Mg が GaN バルク層に入るように条件を設定し、ダメージピークが Mg 層に留まるように調整した実験 を行なっている(エネルギー調整リコイルインプランテーション)。 前回まで、インプランテーションに比較して、全く衝撃の発生しないプロセスである MOCVD 成長法のみによってノンドープ GaN 上に Mg ドープの高濃度 p-GaN 層を用意し、そのエピ直後と 熱処理後との変化を観察する事によって、MOCVD 法で作製した高濃度 p-GaN でのアニーリング の挙動を観察した。