[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-14] SiC相補型JFET論理ゲートの350℃動作

〇金子 光顕¹、中島 誠志¹、金 祺民¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、相補型、接合型トランジスタ

SiC JFETは酸化膜をデバイス構造に使用しておらず、高温環境で動作可能な論理回路形成用の素子として有望視されている。著者らは、nチャネルJFET（nJFET）とpJFETを組み合わせた相補型JFET（CJFET）による集積回路の作製を提案しており、イオン注入によるnJFETおよびpJFETの同一基板上への作製とその400℃動作を報告した。本研究では提案した構造のnJFETおよびpJFETを用いて相補型論理ゲートを実際に作製し、その高温動作が確認できたので報告する。