[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-2] Effect of UV Exposure on Electrical Damage Introduced into p-Type GaN by Ar⁺ Ion Bombardments

〇Akira Toyotome¹, Yoshitaka Nakano¹, Retsuo Kawakami², Masahito Niibe³ (1.Chubu Univ., 2.Tokushima Univ., 3.Univ. Hyogo)

Keywords:p-GaN, Ar+ ion, UV exposure

Ar⁺イオンを照射したp型GaNに導入される電気的ダメージのUV光照射効果をC-V法と光容量過渡分光法を用いて評価した。Ar⁺イオン照射により価電子帯上~2.0eV, ~3.1eV、伝導帯下~3.35eV付近に3つの準位が顕在化するが、UV照射強度が増加する程、これらの準位は内方拡散していることを確認した。したがって、UV照射はイオン衝撃によるV_Ga, V_Nの導入を促進すると同時に、V_Gaの内方拡散に伴いMgアクセプターは追随し内方拡散していると推定される。