[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-9] Effect of surface polarity on thermionic emission current-voltage characteristics of n-type GaN emitter

〇Naoki Yamamoto¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Research & Development Center, Toshiba Corp.)

Keywords:Polarization, Thermionic emission, GaN

窒化物半導体はc軸に沿って自発的に分極し、表面からの電子放出特性にも影響すると考えられる。Ga極性およびN極性のn型GaN基板を真空中で加熱し、最表面をCsで被覆することで、700 ℃以下における熱電子放出特性を比較した。その結果、N極性のGaN基板において電子放出特性の向上が確認された。また、Ga極性に比べN極性の基板から放出された熱電子の方が、エネルギーが低いことを示唆する結果が得られた。