[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-9] n型GaNエミッタの熱電子放出電流-電圧特性に面極性が与える影響

〇山本 直輝¹、木村 重哉²、吉田 学史²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)

キーワード：分極、熱電子放出、GaN

窒化物半導体はc軸に沿って自発的に分極し、表面からの電子放出特性にも影響すると考えられる。Ga極性およびN極性のn型GaN基板を真空中で加熱し、最表面をCsで被覆することで、700 ℃以下における熱電子放出特性を比較した。その結果、N極性のGaN基板において電子放出特性の向上が確認された。また、Ga極性に比べN極性の基板から放出された熱電子の方が、エネルギーが低いことを示唆する結果が得られた。