[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-8] Normally-off GaN Polarization Super Junction (PSJ) Transistors

〇Shuichi Yagi¹, Hironori Nakamura¹, Yusuke Kamiyama¹, Ryoji Kitahara¹, Yuta Isa¹, Hironobu Narui¹, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.POWDEC. K.K., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, Normally-off

サファイア基板上にPSJ構造を形成し、リセス構造を用いないノーマリーオフ型のGaN PSJ FET を試作した。オン抵抗は70mΩ、ドレイン電流が1mA流れる際の電圧をしきい値電圧とした時に、しきい値電圧は0.7Vだった。ゲート電圧が0Vの時に耐圧は800V以上だった。抵抗負荷による400Vのスイッチング評価において、電流コラプスの影響は確認できなかった。