[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-7] Electrical properties of normally-off type AlGaN/GaN MIS-HEMTs
with SiO₂/Al₂O₃ double insulators fabricated by ALD Ⅱ

〇Keitaro Toda¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.NITech)

Keywords:GaN, ALD, HEMT

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はゲートリーク電流(I_g)を低減し、高いゲート電圧を印加することができるため、次世代のパワーデバイス用途として精力的に研究されている。Al₂O₃とSiO₂の2層絶縁膜を用いることでI/Sの界面特性が良く、I_gが抑制されたデバイスを作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではゲート部だけではなく、SiO₂絶縁膜全面にO₂プラズマ処理を施したゲートリセス構造を有するMIS-HEMTを作製し、その温度特性を評価した。