[25p-P12-1~2] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[25p-P12-2] Suppression of In-grown SF Formation by Removal of Sub-Surface Damage Layer on 4H-SiC Substrates Using Dynamic AGE-ing^®

〇Kohei Toda¹, Jun Sasaki¹, Daichi Dojima¹, Kiyoshi Kojima², Hiroshi Mihara¹, Shin-ichi Mitani¹, Tadaaki Kaneko¹ (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.TTC)

Keywords:SiC, stacking fault, Dynamic AGE-ing

4H-SiCのCVDエピタキシャル成長における課題として、成長層に形成されるIn-grown積層欠陥(IGSF)がある。この積層欠陥の形成要因として基板表面に残留した加工変質層に注目した。CMP研磨後のSiC基板上での成長層のIGSF密度は32cm^-2であるのに対して、加工変質層を1800℃での昇華エッチングによって除去することにより、抑制可能であること（IGSF≈0cm^-2）が示唆された。