[25p-P12-1~2] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[25p-P12-2] Dynamic AGE-ing^®を用いた4H-SiC基板の加工変質層除去によるIn-grown SF形成の抑制

〇戸田 晃平¹、佐々木 淳¹、堂島 大地¹、小島 清²、三原 啓司¹、三谷 慎一¹、金子 忠昭¹ (1.関学大、2.豊田通商)

キーワード：SiC、積層欠陥、Dynamic AGE-ing

4H-SiCのCVDエピタキシャル成長における課題として、成長層に形成されるIn-grown積層欠陥(IGSF)がある。この積層欠陥の形成要因として基板表面に残留した加工変質層に注目した。CMP研磨後のSiC基板上での成長層のIGSF密度は32cm^-2であるのに対して、加工変質層を1800℃での昇華エッチングによって除去することにより、抑制可能であること（IGSF≈0cm^-2）が示唆された。