[26a-E102-1~6] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[26a-E102-5] Fabrication and high-frequency characterization of carbon nanotube thin film transistors based on immersion deposition method

〇Shugo Kogure¹, Saya Ishimaru¹, Hiromichi Kataura², Yutaka Ohno^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.AIST, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Carbon nanotube, Thin film transistor, Cutoff frequency

カーボンナノチューブ (CNT) 薄膜トランジスタ (TFT) は高移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている。これまでに、我々は半導体CNT分散液に基板を浸漬することにより、高密度にCNT薄膜を成膜する手法（浸漬堆積法）を確立し、それを用いて高いオン電流とオン/オフ比をもつCNT TFTを実現したことを報告している。 今回は、Sパラメータの測定によりCNT TFTの高周波特性の評価を行った結果について報告する。