[26a-E103-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[26a-E103-1] GeO₂膜質及びGeO₂/Ge界面特性改善に有効なPMA金属種の検討

〇結解 あかり¹、上野 智雄¹、岩崎 好孝¹、飯野 寛貴¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体