[26a-E103-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[26a-E103-9] 化学気相成長法を用いて成膜した絶縁膜の膜厚と絶縁寿命の関係

〇阿久津 敏¹、伊藤 和幸¹、菊地 拓雄¹、牧野 伸顕¹、北原 義之¹、大黒 達也²、藤 慶彦²、高橋 眞理²、樫浦 由貴子² (1.(株)東芝、2.(株)東芝デバイス&ストレージ)

キーワード：層間絶縁膜、CVD法、信頼性評価

車載，産業機器では高電圧回路から低電圧回路を保護する目的で絶縁デバイスが用いられる．近年，高速応答および省電力動作が可能な次世代の絶縁デバイスとして磁気・容量結合型のデジタルアイソレーターが開発されている．このデバイスでは，一対のコイルの間に層間絶縁膜が形成されており，これにより信号伝達と絶縁性を確保する．この層間絶縁膜には，数kVの高電圧が印加されることから，耐圧を確保するため，数μmオーダの膜厚の絶縁膜が形成される．絶縁膜の信頼性については，膜厚数十nmオーダの絶縁膜の破壊メカニズムに関する報告はあるが，数µmオーダの厚絶縁膜の絶縁破壊メカニズムおよびその成膜プロセス，膜厚依存性についての報告は少ない．本研究では，プラズマCVD法により形成した厚絶縁膜の膜厚と絶縁寿命の関係をFT-IRや帯電量の観点から考察した．