[26a-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [26a-E104-5] Development of ANN potential for Si(100) surface and validation of calculation accuracy

〇Masayoshi Sato¹, Masato Ohbitsu¹, Takuto Ushiro¹, Yusuke Noda², Koji Sueoka² (1.Graduate School of Engineering, Okayama pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:surface, calculation

LSIの微細化，高性能化に伴い，その製造領域となる半導体Siウェーハの表面近傍には，原子レベルで非常に高い完全性が要求されている．このため，Si表面近傍に対する注目は益々高まっている．本研究では，既存の計算手法に対し新たに機械学習を用いた計算手法，Si（100）表面用の人工ニューラルネットワーク（ANN）ポテンシャルを開発しその計算精度を検証した．