[26a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26a-E202-1] ミストCVD法によるTiO₂膜のマイクロキャビティ内へのコンフォーマル形成

〇横山 工純¹、ファルク ホサイン¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：ミストCVD、マイクロキャビティ、TiO2

前回までにミストCVD法によるAlO_x, TiO₂, Al_1-xTi_xO₃薄膜作製について報告した。特にミスト輸送時に設置したメッシュ電極に印加する直流バイアスV_mによるミストの微細化、高速化が可能で、膜の緻密化、Si界面の欠陥密度の低減およびSi界面のキャリア輸送特性の向上に有効であることを報告した。今回はマイクロキャビティ内への一様なTiO₂成膜におけるV_mの効果について報告する。