[26a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26a-E202-7] Experiments of Photo Transistor Based on β-Ga₂O₃ / NiO / β-Ga₂O₃ Structure

〇Shinji Nakagomi¹, Eito Urata¹ (1.Ishinomaki Senshu Univ.)

Keywords:Ga2O3, NiO, photo transistor

β-Ga₂O₃ /NiO /β-Ga₂O₃ 構造をもつフォトトランジスタの作製を試み, その特性を評価した。E-C間では逆方向バイアスの増加に伴って電流が増加する特性となり, UV光強度の増加に伴って逆方向の直列抵抗が減少した。光強度の増加に対して約1.5乗の傾きを示して電流が増加した。