[26a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [26a-E203-8] 組成傾斜p-AlGaN層とp-Al_0.4Ga_0.6Nコンタクト層を有する深紫外LED

〇岩月 梨恵¹、藤田 真帆¹、石黒 永孝¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、永田 賢吾²、奥野 浩司²、齋藤 義樹² (1.名城大理工、2.豊田合成)

キーワード：半導体