[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[26a-E301-5] Biサーファクタント効果を利用したInAs量子ドットレーザの特性評価

〇簗瀬 智史¹、赤羽 浩一²、松本 敦²、山本 直克²、菅野 敦史²、前田 智弘^1,2、外林 秀之¹ (1.青学大理工、2.NICT)

キーワード：半導体レーザ、量子ドット

本研究ではBi照射のサーファクタント効果を利用して成長させたInAs量子ドットを用いて量子ドットレーザを作製し、特性評価を行ったのでこれを報告する。