[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [26a-E301-9] 準表面プラズモン共鳴によるシリコンイメージセンサの近赤外感度向上

〇吉永 崇仁¹、橋本 和磨¹、寺西 信一^2,3、小野 篤史^1,2 (1.静大院工、2.静大電研、3.兵県大高度研)

キーワード：プラズモン、イメージセンサ、フォトディテクタ

本研究目的は，シリコンCMOSイメージセンサの近赤外感度向上である．我々はシリコン吸収層における準表面プラズモン共鳴による光閉じ込めを提案する．入射光が90°近い回折角度にて吸収層内を回折伝播することにより，実効的な伝播距離が増長し，シリコン吸収率が向上することを見出した．波長940 nmにおける厚さ3 µmのシリコン吸収率は31.3%に達し，光閉じ込めにより約8.7倍向上することを解析的に示した．