[26a-E307-1~9] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[26a-E307-2] Fabrication of Ferroelectric Hf_xZr_1-xO₂ Thin Film by FLA
-Thickness Dependence-

〇Yuto Ota¹, Kento Izumi¹, Hikaru Kawarazaki², Hideaki Tanimura², Shinichi Kato², Yasuo Nara¹ (1.Univ.of Hyogo, 2.SCREENsemicon)

Keywords:Ferroelectric, HZO, FLA

近年、薄膜状態でも強誘電性を失わないHfO₂系材料が高集積化強誘電体メモリに適した材料として注目を集めている。中でもHf_0.5Zr_0.5O₂は強誘電性を示すO相(直方晶)割合が最も多くなることが分かっており有望な材料である。また、Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜にFLA(Flash Lamp Annealing)などの高温・短時間熱処理を行うと強誘電性が向上することが報告されている。今回はHf_0.5Zr_0.5O₂の膜厚を5nmに薄膜化した場合の加熱時間、温度とEnduranceの調査結果を報告する。