[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

[26a-E307-3] III-V族窒化物圧電薄膜へのYb添加効果

〇賈 軍軍¹、岩田 直也²、柳谷 隆彦² (1.早大国際理工、2.早大先進理工)

キーワード：電気機械結合係数、弾性波デバイス、圧電特性

現在、ウルツ鉱型結晶構造を持つScAlN合金薄膜がスマートフォンのBAWフィルタなどに実用化されている。ウルツ鉱型III-V族窒化物薄膜を母体材料としてYbやCr等の異種元素を添加し、電気機械結合係数が向上する新規圧電材料の実験探索・計算予測が盛んに行われている。本研究では、III-V族窒化圧電薄膜の電気機械結合係数の実験データを踏まえて、第一原理計算によるYbの添加効果を理論的に解明し、添加元素・母体材料・電気機械結合係数との関係を明確し、さらに新規窒化物合金材料の設計指針を提案する。