[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

[26a-E307-5] 溶液法IGZO-TFTのオゾンガス検出感度に焼成温度が与える影響

〇笹島 宏青¹、森本 貴明¹、石井 啓介¹ (1.防衛大)

キーワード：IGZO、オゾン、溶液法

TFTをオン状態としてときのI_Dの時間変化をオゾン暴露有無の場合で測定した。焼成温度300～340℃ではオゾン検出感度は良好であるが、焼成温度280℃以下ではオゾン暴露有無にかかわらずTFT動作が不安定である。O1sXPSスペクトルにおける格子酸素のピークがオゾン暴露により減少することから、IGZO薄膜に生じた欠陥がI_D減少を引き起こしていると考えられる。