[26a-E307-1~9] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[26a-E307-5] Effects of Annealing Temperature on Detection Sensitivity of IGZO-TFT to Ozone Gas

〇Hiroharu Sasajima¹, Takaaki Morimoto¹, Keisuke Ishii¹ (1.NDA)

Keywords:IGZO, ozone, solution method

TFTをオン状態としてときのI_Dの時間変化をオゾン暴露有無の場合で測定した。焼成温度300～340℃ではオゾン検出感度は良好であるが、焼成温度280℃以下ではオゾン暴露有無にかかわらずTFT動作が不安定である。O1sXPSスペクトルにおける格子酸素のピークがオゾン暴露により減少することから、IGZO薄膜に生じた欠陥がI_D減少を引き起こしていると考えられる。