[26a-F408-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[26a-F408-7] Growth of artificial asymmetric grain boundaries with controlled grain boundary structures and their impact on carrier recombination velocity

Yusuke Fukuda¹, 〇Kentaro Kutsukake², Takuto Kojima³, Yutaka Ohno⁴, Noritaka Usami¹ (1.Grad. Eng., Nagoya Univ., 2.AIP, RIKEN, 3.Grad. Info., Nagoya Univ., 4.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:grain boundaries, carrier recombination, silicon

多結晶Siは主要な太陽電池用基板材料であるが、粒界でのキャリア再結合による変換効率の低下が課題の一つである。しかし、これまでに粒界構造とキャリア再結合の関係について調査されているのは、無数の構造のうちごく一部のみである。粒界の種類の大部分を占める非対称粒界では、その特性はほとんど調査されていない。我々は、3つの因子で表現される粒界構造空間を網羅する人工粒界を作製することで、非対称粒界の構造と粒界でのキャリア再結合速度(v_GB)の関係の系統的な調査を可能とした。本発表では各構造因子がv_GBに及ぼす影響に焦点あてた研究成果を報告する。