[26a-P03-1~15] 8 Plasma Electronics(Poster)

[26a-P03-2] Optimization of organic silicon raw material for SiO:CH particle deposition

〇Yuki Nakaizumi¹, Inoue Yasushi¹, Takai Osamu² (1.Chiba Inst. Technol., 2.Kanto Gakuin Univ.)

Keywords:SiO:CH, vinyl group, CCP-CVD method

有機基含有シリカ(SiO:CH)薄膜の作製にはプラズマCVD法が用いられる．SiO:CH微粒子膜の均一膜の作製のために，プラズマ重合反応しやすいと期待できるビニル基を含む原料について選定を行うことを目的とした．TMVOSを原料とした場合，電極中央にのみ白いマット状の微粒子堆積膜が堆積していた．TMVSを原料とした場合，電極のほぼ全面が微粒子堆積膜で覆われていた．C-H構造を骨格構造に取り込み，原料分子の分解・結合が活性であったと考えられる．