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[26a-P04-16] 管状炉を用いた熱 CVD 法による酸化チタンナノチューブアレイ/窒化炭素複合体の構造制御
キーワード:光触媒、窒化炭素
我々は、高い光酸化力を持つ酸化チタンナノチューブアレイ(TNA)と高い光還元力を持つ高分子n型半導体であるグラファイト状窒化炭素(g-C3N4)に注目し、管状炉を用いた熱化学気相成長法(CVD)法によるTNA/g-C3N4ナノ複合体の構造制御を試みた。TNA表面に堆積したg-C3N4の合成は、TNA基板を配置する向きによって違いが生じた。前駆体分子の輸送/供給方向の違いがg-C3N4の合成及び堆積様式に影響を及ぼす可能性がある。