[26a-P05-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[26a-P05-3] Geメサパターン上の歪みSiGe膜へのクラック発生におけるエッチング深さの影響

〇我妻 勇哉¹、Md. Mahfuz Alam^1,2、岡田 和也¹、金澤 伶奈¹、山田 道洋³、浜屋 宏平³、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.Univ. of Barishal、3.阪大基礎工 CSRN)

キーワード：SiGe、Ge、strained