[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-7] Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (III)
–Analysis of Recrystallization Behavior of Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Si wafer Surface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy–

〇kouji kobayashi¹, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Ryo Hirose¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Ion Implantation, Amorphous, Recrystallization

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けに，重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している．高ドーズ量注入条件においては結晶性回復熱処理が必要となるが，基板最表面のアモルファス領域の結晶性回復挙動は明らかになっていない．そこで今回，X線光電子分光法を用いて，炭化水素分子イオンを注入した基板最表面の結晶性回復挙動解析をおこなった．