[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-6] Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (II)
– Photoemission Spectroscopy Study on Variation in SiO₂/Si Interfacial Strain with Annihilation of Interface State Defects –

〇Akihiro Suzuki¹, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Koji Kobayashi¹, Ryo Hirose¹, Ayumi Masada¹, Yoshihiro Koga¹, Kazutoshi Takahashi², Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION, 2.Synchrotron Light Application Center, Saga Univ.)

Keywords:silicon, interface, Strain

CMOSイメージセンサの歩留まり向上のためには、フォトダイオード領域に存在するSiO₂/Si界面準位欠陥（Siダングリングボンド；Pbセンター）の密度を極限まで低減し、かつ制御する必要がある。先行研究で、SiO₂/Si界面における歪みの蓄積及び緩和がPbセンター密度の変動に対応することが示されている。一方で、Pbセンター密度の低減に最も有効かつ簡便な水素雰囲気熱処理における、SiO₂/Si界面の歪みの挙動はわかっていない。今回は、プロトン（H⁺）を注入したSiO₂/Si構造に対して光電子分光測定を行い、水素存在下におけるPbセンターと界面の歪みの挙動の相関性を調べた。