[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-5] Product Design of Silicon Wafers for 3D Stacked CMOS Image Sensor (I)
-Reduction of SiO₂/Si Interface State using CH₃O-Molecular-Ion-Implanted Wafers-

〇Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:hydrogen passivation, molecular ion implantation

CMOSイメージセンサではSiO₂/Si界面の界面準位密度（D_it）の低減が重要な技術課題である。我々は炭化水素分子イオン注入ウェーハに酸素を追加したCH₃O分子イオン注入ウェーハを開発してきた。本研究では、CH₃O分子注入ウェーハにおける注入領域からの水素脱離によるD_it低減効果の解析をおこなったので報告する。