[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-7] 3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅲ）
–X線光電子分光法を用いた炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面における結晶性回復挙動解析–

〇小林 弘治¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、廣瀬 諒¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：イオン注入、アモルファス、結晶性回復

3次元積層型CMOSイメージセンサ向けに，重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している．高ドーズ量注入条件においては結晶性回復熱処理が必要となるが，基板最表面のアモルファス領域の結晶性回復挙動は明らかになっていない．そこで今回，X線光電子分光法を用いて，炭化水素分子イオンを注入した基板最表面の結晶性回復挙動解析をおこなった．