[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-8] 3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅳ）
–Si系分子イオン注入において炭素がゲッタリング能力に与える影響–

〇廣瀬 諒¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、奥山 亮輔¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社 SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、ゲッタリング、イオン注入

CMOSイメージセンサの高感度化に寄与できる、新たな分子イオン注入による近接ゲッタリング技術の開発を進めている．これまで、炭化水素分子(C2Hy)イオンとシリコン系分子(SiHx)イオンを混合して注入する、シリコン系分子イオン注入技術により、低炭素ドーズ量条件においても高いゲッタリング能力を実現可能であることを明らかとした．今回はシリコン系分子イオン注入技術における炭化水素分子イオンの、近接ゲッタリング技術における役割を調査したので報告する．