The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sat. Mar 26, 2022 1:00 PM - 4:45 PM E202 (E202)

Kohei Sasaki(Novel Crystal Technology), Oshima Yuichi(NIMS)

2:00 PM - 2:15 PM

[26p-E202-5] Growth of Ga2O3 Film on ScAlMgO4 Substrate by Mist-CVD

〇Ryo Moriya1, Hitoshi Takane2, Shuhei Yamashita1, Yuto Yamahuji1, Junjiro Kikawa1, Makoto Matsukura3, Takahiro Kojima3, Takashi Shinohe4, Kentaro Kaneko2, Tsutomu Araki1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Kyoto Univ., 3.OXIDE Co., 4.FLOSFIA Inc.)

Keywords:gallium oxide, mist-CVD, crystal growth

Ga2O3は5種類の結晶多型を持つ材料であり、特に、α, β, ε相ではパワーデバイスへの応用が期待されている。一方、ScAlMgO4(SAM)はYbFe2O4構造に属する三方晶であり、強いc面劈開性を持つという特徴がある。SAM基板上Ga2O3のメリットは、基板を剥離できることによって熱伝導率が極めて小さいGa2O3デバイスの放熱を容易に行える点にある。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、温度をパラメータとしSAM基板上にGa2O3が成長可能であるかの検討を行った。