[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-6] Bandgap engineering of α-Ga₂O₃ by lattice strain

〇Takahiro Kawamura¹, Toru Akiyama¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:Ga2O3, bandgap, first-principles calculation

α-Ga₂O₃デバイスの利用範囲の拡大に向け、組成や格子歪み制御によるバンドエンジニアリングに関する知見が求められている。そこで本研究では第一原理計算を用いて α-Ga₂O₃のバンド構造解析を行い、バンドギャップと格子歪みとの関係を調べた。