[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-5] Growth of Ga₂O₃ Film on ScAlMgO₄ Substrate by Mist-CVD

〇Ryo Moriya¹, Hitoshi Takane², Shuhei Yamashita¹, Yuto Yamahuji¹, Junjiro Kikawa¹, Makoto Matsukura³, Takahiro Kojima³, Takashi Shinohe⁴, Kentaro Kaneko², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Kyoto Univ., 3.OXIDE Co., 4.FLOSFIA Inc.)

Keywords:gallium oxide, mist-CVD, crystal growth

Ga₂O₃は5種類の結晶多型を持つ材料であり、特に、α, β, ε相ではパワーデバイスへの応用が期待されている。一方、ScAlMgO₄（SAM）はYbFe₂O₄構造に属する三方晶であり、強いc面劈開性を持つという特徴がある。SAM基板上Ga₂O₃のメリットは、基板を剥離できることによって熱伝導率が極めて小さいGa₂O₃デバイスの放熱を容易に行える点にある。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、温度をパラメータとしSAM基板上にGa₂O₃が成長可能であるかの検討を行った。